型号: | DMN100-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
中文描述: | 1100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 63K |
代理商: | DMN100-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DMN2004DWK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2004DWK-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2004K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2004K-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2004VK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DMN100-7-F | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
DMN1019UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
DMN1019UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
DMN1033UCB4-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1818-4 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-CH 12V4 |
DMN113.3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP |