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参数资料
| 型号： | DMN100-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | DMN100 DMN100CT DMN100CT-ND DMN100DICT |
DMN100
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.0
0.1
V GS = 4.5V
V GS = 10V
1.5
1.0
0.5
0
0
1 2 3 4
5
0.01
0
1
2
3
4
0.30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
4.0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs. Drain Current
3.5
0.25
3.0
0.20
2.5
0.15
2.0
1.5
0.10
1.0
0.05
0.5
0
-50
0 50 100
T j , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
150
0
0
1 2 3 4 5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Package Outline Dimensions
A
SC59
Dim Min Max Typ
A
0.35 0.50 0.38
G
H
B C
B
C
D
G
H
J
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
- - 0.95
- - 1.90
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
J
D
N
L
M
K
L
M
N
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
0.70 0.80 0.75
α
0° 8° -
All Dimensions in mm
DMN100
Document number: DS30049 Rev. 9 - 2
3 of 4
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN1019UFDE-7 | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E |
| DMN2004DMK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 |
| DMN2004DWK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 |
| DMN2004K-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN100-7-F | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN1019UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN1019UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN1033UCB4-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1818-4 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-CH 12V4 |
| DMN113.3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP |
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