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参数资料
| 型号： | DMN100 |
| 厂商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | DMN100 |
DS30049 Rev. 5 - 2
3 of 3
DMN100
0
0.5
1.0
0
1
2
3
4
5
I
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
DS
3.0V
2.5V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
= 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
GS
0.01
0.1
1.0
0
1
2
3
4
R
,
D
D
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs Drain Current
V
= 4.5V
gs
V
= 10V
gs
0
0.05
0.10
-50
R
,
D
D
T, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Fig. 3 On-Resistance vs Junction Temperature
V
= 4.5V, R
GS
DS
@ 0.5A
V
= 10V, R
GS
DS
@ 1.0A
0
50
150
100
0.15
0.20
0.25
0.30
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs Gate-Source Voltage
GS
V
T = 25 C
= 10V
GS
3.0
3.5
2
3
4
5
4.0
R
,
D
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN100-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| DMN2004K-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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