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参数资料
| 型号： | DMN2004K-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2004KDIDKR |
DMN2004K
0.9
1,000
V GS = 2.2V
V GS = 2.0V
900
V DS = 10V
Pulsed
800
V GS = 1.8V
0.6
V GS = 1.6V
700
600
500
400
0.3
V GS = 1.4V
300
T A = 150 ° C
V GS = 1.2V
200
100
T A = 8 5 ° C
T A = 25 ° C
0
0
1 2 3 4
5
0
0.4
T A = -55 ° C
0.8 1.2
1.6
2
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 Typical Output Characteristics
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
1
0.9
0.8
0.7
V DS = 10V
I D = 1mA
Pulsed
0.5
V GS = 10V
Pulsed
0.6
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
0.5
0.4
0.3
0.2
T A = -55 ° C
T A = 0 ° C
T A = -25 ° C
0.1
0
-75
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T ch , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Figure 3 Gate Threshold Voltage
vs. Channel Temperature
0.1
0.2
T A = 25 ° C
0.4 0.6 0.8
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
1.0
1
V GS = 5V
Pulsed
1.0
0.9
0.8
T A = 25°C
0.5
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
0.7
0.6
T A = -55 ° C
0.5
0.4
0.3
I D = 540mA
T A = 25°C
T A = 0 ° C
T A = -25 ° C
0.2
0.1
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
2
4
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6 Static Drain-Source, On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN2004K
Document number: DS30938 Rev. 9 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2004K-7-F | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification |
| DMN2004TK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2004TK-7 | 功能描述:MOSFET 20V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2004VK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2004VK_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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