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参数资料
| 型号： | DMN2004K-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2004KDIDKR |
DMN2004K
1
0.9
T J = 25°C
0.5
0.4
0.8
0.7
0.6
V GS = 1.8V
0.3
V GS = 4.5V,
I D = 540mA
0.5
V GS = 2.5V
0.2
V GS = 10V,
I D = 280mA
0.4
0.3
V GS = 4.5V
0.1
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1 1.2
0
-50
-25
0 25
50
75
100
125 150
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 7 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10,000
T j , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8 Static Drain-Source, On-Resistance vs. Temperature
1
V GS = 0V
1,000
100
TJ = 150°C
TJ = 100°C
0.1
T A = 125 ° C
T A = 85°C
T A = 150 ° C
T A = 25 ° C
10
0.01
T A = 0 ° C
1
T J = 25 °C
T A = -25°C
T A = -55 ° C
0.1
2
4
6 8
10
12 14
16
18
20
0.001
0
0.5
1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9 Drain Source Leakage Current vs. Voltage
V SD , DRAIN- SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
120
V GS = 10V
T A = -55°C
T A = 25 ° C
100
80
C iss
f = 1MHz
V GS = 0V
0.1
T A = 85 ° C
60
40
T A = 150 ° C
C oss
20
C rss
0.01
1
10
100
1,000
0
0
2
4
6
8
10 12
14 16
18
20
I D , DRAIN CURRENT (mA)
Figure 11 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
V DS , DRAIN SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12 Capacitance Variation
DMN2004K
Document number: DS30938 Rev. 9 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2004K-7-F | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification |
| DMN2004TK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2004TK-7 | 功能描述:MOSFET 20V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMN2004VK_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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