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参数资料
| 型号： | DMN2005DLP4K |
| 厂商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 双N沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | DMN2005DLP4K |
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Static Drain-Source, On-Resistance
vs. Ambient Temperature
V
DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Reverse Drain Current
SD,
vs. Source-Drain Voltage
T = 150 C
°
T =
C
85
°
T =
C
25
°
T =
C
-55
°
|
f
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 9 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
C
T
f=1MHz
Ciss
Crss
Coss
N
DS30801 Rev. 6 - 2
3 of 4
www.diodes.com
DMN2005DLP4K
Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2005DLP4K-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005K-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005LP4K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005LP4K-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2005DLP4K_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005DLP4K-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2005K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005K_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005K-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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