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参数资料
| 型号： | DMN2041L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2041L-7DIDKR |
DMN2041L
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
A
SOT-23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
J
F
G
D
K1
L
M
J
K
K1
L
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
??
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
Z
DMN2041L
Document number: DS31962 Rev. 2 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| DMN2050L-7 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
| DMN2065UW-7 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 |
| DMN2075U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2041LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2050L | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 20V 5.9A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.4W; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN2050L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2050LDICT-ND | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:RN-171 802.11 b/g Wireless LAN Module |
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