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参数资料
| 型号： | DMN2041LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.63A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.16W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2041LSD-13DIDKR |
DMN2041LSD
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
A1
A2
A3
Min
-
0.10
1.30
0.15
Max
1.75
0.20
1.50
0.25
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
b
D
E
E1
0.3
4.85
5.90
3.85
0.5
4.95
6.10
3.95
Detail ‘A’
e
h
1.27 Typ
- 0.35
h
45 °
7 °~ 9 °
L
??
0.62 0.82
0 ? 8 ?
e
b
A2 A A3
Detail ‘A’
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
DMN2041LSD
Document number: DS31964 Rev. 3 - 2
Y
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
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