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参数资料
| 型号： | DMN2065UW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2065UW-7DIDKR |
DMN2065UW
1.4
5
1.2
4
1.0
0.8
0.6
3
2
0.4
1
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
100
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
C iss
10
T A = 125°C
1
T A = 85°C
100
f = 1MHz
C oss
C rss
0.1
0.01
T A = 25°C
10
0
4
8 12 16
20
0.001
0
2
4
T A = -55°C
6 8 10 12 14 16 18 20
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
100
9
8
f = 1MHz
R DS(on)
Limited
10
7
6
5
4
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
3
2
1
0.1
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
P W = 10μs
0
0
3 6 9 12
15
0.01
0.1
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMN2065UW
Document number: DS35554 Rev. 1 – 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2075U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2075U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2075U-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2075UDW-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2100UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2100UDM-7 | 功能描述:MOSFET 900mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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