- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录405 > DMN2065UW-7 (Diodes Inc)MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN2065UW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2065UW-7DIDKR |
DMN2065UW
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 300°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
A
SOT323
Dim Min Max Typ
G
H
B C
A
B
C
D
G
H
0.25 0.40 0.30
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
- - 0.65
1.20 1.40 1.30
1.80 2.20 2.15
K
M
J
K
L
0.0 0.10 0.05
0.90 1.00 1.00
0.25 0.40 0.30
J
D
L
M
α
0.10 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN2065UW
Document number: DS35554 Rev. 1 – 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.8
0.7
0.9
1.9
1.0
October 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2075U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 |
| DMN2100UDM-7 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 |
| DMN2104L-7 | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 |
| DMN2112SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2075U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2075U-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2075UDW-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2100UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2100UDM-7 | 功能描述:MOSFET 900mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。