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参数资料
| 型号： | DMN26D0UT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN26D0UT-7DIDKR |
DMN26D0UT
5
4
4
3
V GS = 4.5V
T A = 150°C
3
V GS = 1.8V
2
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
2
V GS = 2.5V
1
T A = -55°C
V GS = 4.5V
1
0
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
2.0
1.8
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
4.0
3.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 4.5V
I D = 500mA
V GS = 2.5V
I D = 150mA
3.0
2.5
2.0
1.5
V GS = 2.5V
I D = 150mA
V GS = 4.5V
0.6
0.4
1.0
0.5
I D = 500mA
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
0.7
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
0.6
1.0
0.5
T A = 25°C
0.8
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
0.4
0.3
0.4
0.2
0
0.2
0.1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN26D0UT
Document number: DS31854 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2990UDJ-7 | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 |
| DMN2990UFA-7B | MOSFET N CH 20V 510MA |
| DMN3005LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| DMN3007LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3010LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN26DOUT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-CHANNEL SOT-523 GREEN 3K |
| DMN2990UDJ | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W ESD 20V SOT963 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 20V, SOT963 |
| DMN2990UDJ-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2990UFA-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3005LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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