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参数资料
| 型号： | DMN26D0UT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN26D0UT-7DIDKR |
DMN26D0UT
Package Outline Dimensions
A
SOT-523
Dim Min Max
Typ
A
0.15 0.30
0.22
G
H
B C
B
C
D
G
H
J
0.75 0.85
1.45 1.75
? ?
0.90 1.10
1.50 1.70
0.00 0.10
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
K
N
M
K
L
0.60 0.80
0.10 0.30
0.75
0.22
M
0.10 0.20
0.12
J
D
L
N
α
0.45 0.65 0.50
0° 8° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
1.8
Z
DMN26D0UT
Document number: DS31854 Rev. 2 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.4
0.51
1.3
0.7
September 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2990UDJ-7 | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 |
| DMN2990UFA-7B | MOSFET N CH 20V 510MA |
| DMN3005LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| DMN3007LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3010LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN26DOUT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-CHANNEL SOT-523 GREEN 3K |
| DMN2990UDJ | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W ESD 20V SOT963 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 20V, SOT963 |
| DMN2990UDJ-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2990UFA-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3005LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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