- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录406 > DMN2990UFA-7B (Diodes Inc)MOSFET N CH 20V 510MA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN2990UFA-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 20V 510MA |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 510mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X2-DFN0806 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2990UFA-7BDIDKR |
DMN2990UFA
I D GS = 4.5V
0.8
I D (A) @ V GS = 3.0V
(A) @ V
0.8
V DS = 5.0V
Ave V GS (V) @ -55°C
0.6
I D (A) @ V GS =4.0V
0.6
Ave V GS (V) @ 25°C
Ave V GS (V) @ 85°C
I D GS = 2.5V
(A) @ V
Ave V GS (V) @ 125°C
0.4
I D (A) @ V GS = 2.0V
0.4
Ave V GS (V) @ 150°C
I D (A) @ V GS = 1.5V
0.2
0.2
I D GS = 1.2V
0.0
0
(A) @ V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
4
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
1.2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (A)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
1.2
V GS = 4.5V
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
1
0.8
R DS(ON) ? Ave @ V GS = 1.8V
1
0.8
Ave R DS(ON) (R) @ 150°C
Ave R DS(ON) (R) @ 125°C
0.6
0.6
Ave R DS(ON) (R) @ 85°C
0.4
R DS(ON) ? Ave @ V GS = 4.5V
0.4
Ave R DS(ON) (R) @ 25°C
Ave R DS(ON) (R) @ -55°C
0.2
0.2
0
0
0.2 0.4 0.6
0.8
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1
@ V GS D = 300mA
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
R DS(ON) ? Ave
= 4.5V, I
I D DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs. Drain Current and Temperature
1.2
1
R DS(ON) ?
@ V GS D = 300mA
= 4.5V, I
0.8
1.2
R DS(ON) ? Ave
0.6
@ V GS D = 150mA
@ V GS D = 150mA
1
0.8
0.6
-50
= 2.5V, I
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ? C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0.4
0.2
0
-50
R DS(ON) ?
= 2.5V, I
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ? C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN2990UFA
Document number: DS35765 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
June 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3005LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| DMN3007LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3010LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3018SSS-13 | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| DMN3024LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3005LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3005LK3-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3007LSS | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 16A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN3007LSS-13 | 功能描述:MOSFET 2.5W 16A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3010LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。