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参数资料
| 型号： | DMN2990UFA-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 20V 510MA |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 510mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X2-DFN0806 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2990UFA-7BDIDKR |
DMN2990UFA
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
A3
A
A1
X2-DFN0806-3
Seating Plane
Dim
A
Min
0.375
Max Typ
0.40 0.39
A1
A3
0 0.05 0.02
- - 0.10
D
e
b
D
D1
0.10 0.20 0.15
0.55 0.65 0.60
0.35 0.45 0.40
E
E1
0.75
0.20
0.85 0.80
0.30 0.25
L (2x)
e
K
-
-
- 0.35
- 0.20
E
E1
K
b (2x)
Pin#1
L 0.20 0.30 0.25
All Dimensions in mm
R0.075
D1
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X1
Y1
Dimensions
C
Value
(in mm)
0.350
Y (2x)
DMN2990UFA
Document number: DS35765 Rev. 3 - 2
C
X2
X (2x)
Y2
5 of 6
www.diodes.com
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
0.200
0.450
0.550
0.375
0.475
1.000
June 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3005LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| DMN3007LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN3005LK3-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3007LSS | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 16A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN3007LSS-13 | 功能描述:MOSFET 2.5W 16A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3010LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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