- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录406 > DMN3024LSS-13 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN3024LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3024LSS-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN3024LSS
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
?
0.5
±100
V
μ A
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 6)
Forward Transconductance (Notes 6 & 7)
Diode Forward Voltage (Note 6)
Reverse recovery time (Note 7)
Reverse recovery charge (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
1.0
?
?
?
?
?
?
16.5
0.82
12
4.8
3.0
0.024
0.036
?
1.2
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 7.0A
V GS = 4.5V, I D = 6.0A
V DS = 15V, I D = 7.1A
I S = 1.7A, V GS = 0V
I S = 2.2A, di/dt= 100A/ μ s
DYNAMIC CHARACTERISTICS ( Note 7 )
Input Capacitance
C iss
?
608
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time (Note 8)
Turn-On Rise Time (Note 8)
Turn-Off Delay Time (Note 8)
Turn-Off Fall Time (Note 8)
C oss
C rss
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
132
71
6.3
12.9
2.5
2.5
2.9
3.3
16
8
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = 15V, V GS = 0V
f= 1MHz
V DS = 15V, V GS = 4.5V
I D = 7A
V DS = 15V, V GS = 10V
I D = 7A
V DD = 15V, V GS = 10V
I D = 1A, R G ? 6.0 Ω
Notes:
6. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
7. For design aid only, not subject to production testing.
8. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
DMN3024LSS
Document Revision: 3
4 of 8
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3024SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 |
| DMN3029LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| DMN3030LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| DMN3031LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| DMN3033LDM-7 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3024SFG | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3024SFG-13 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3024SFG-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3025LFG | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3025LFG-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI3333-8 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。