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参数资料
| 型号： | DMN3029LFG-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3029LFG-13DIDKR |
DMN3029LFG
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
A3
POWERDI3333-8
Dim Min Max Typ
D
A1
D
E
3.25
3.25
3.35 3.30
3.35 3.30
E
Pin 1 ID
E2
1
8
D2
4
5
L
(4x)
b2
(4x)
L1
(3x)
D2
E2
A
A1
A3
b
b2
L
L1
e
Z
2.22
1.56
0.75
0
?
0.27
?
0.35
?
?
?
2.32 2.27
1.66 1.61
0.85 0.80
0.05 0.02
? 0.203
0.37 0.32
? 0.20
0.45 0.40
?
0.39
?
0.65
?
0.515
Z (4x)
e
b (8x)
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
G
Dimensions
C
Value (in mm)
0.650
Y2
8
G1
5
Y1
G
G1
Y
0.230
0.420
3.700
Y
Y1
Y2
2.250
1.850
Y3
1
X2
C
4
Y3
X
X2
0.700
2.370
0.420
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMN3029LFG
Document number: DS35448 Rev. 7 - 2
6 of 7
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| DMN3029LFG-7 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| DMN3030LFG-7 | 功能描述:MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3030LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3030LSS-13 | 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3031LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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