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参数资料
| 型号： | DMN3051L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 424pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3051LDIDKR |
DMN3051L
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
V GS = 10V
V GS = 4.5V
6
5
4
3
V DS = 5V
3.0
2
T A = 150°C
2.0
1.0
V GS = 2.5V
V GS = 3.0V
1
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
V GS = 1.8V
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
1.5
2.5
T A = -55°C
3.5
0.1
0.09
0.08
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.10
0.09
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T A = 150°C
0.07
0.06
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.08
0.07
0.06
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.03
V GS = 10V
0.05
0.02
0.01
0.04
T A = -55°C
0
0
1 2 3 4 5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
6
0.03
0
1 2 3 4 5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
6
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
V GS = 10V
I D = 5.8A
V GS = 4.5V
I D = 5A
C iss
C oss
C rss
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6Typical Capacitance
30
DMN3051L
Document number: DS31347 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3052L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| DMN3052LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3051LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3051LDM-7 | 功能描述:MOSFET 30V 4A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3052L | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3052L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3052LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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