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参数资料
| 型号： | DMN3051L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 424pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3051LDIDKR |
DMN3051L
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max
A
0.37 0.51
G
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40
2.30 2.50
0.89 1.03
0.45 0.60
1.78 2.05
2.80 3.00
K
M
J
K
L
0.013 0.10
0.903 1.10
0.45 0.61
J
D
F
L
M
??
0.085 0.180
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN3051L
Document number: DS31347 Rev. 5 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3052L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| DMN3052LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| DMN3112S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3112SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3051LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3051LDM-7 | 功能描述:MOSFET 30V 4A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3052L | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3052L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3052LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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