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参数资料
| 型号： | DMN3052LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 555pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3052LSSDIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMN3025LSS
DMN3052LSS
Maximum Ratings
(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
30
? 12
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I DM
7.1
5.7
28
A
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J, T STG
Value
2.5
50
-55 to +150
Unit
W
°C/W
°C
Electrical Characteristics
(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
??
?
?
?
??
?
?
1
? 80
? 800
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ? 12V, V DS = 0V
V GS = ? 19V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
0.62
?
?
?
0.9
24
30
50
10
0.78
1.2
30
40
63
?
1.16
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 7.1A
V GS = 4.5V, I D = 6.4A
V GS = 2.5V, I D = 5.0A
V DS = 5V, I D = 5.1A
V GS = 0V, I S = 2.1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
555
109
82
?
?
?
pF
pF
pF
V DS = 5V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
5.
6.
7.
Device mounted on 2 oz copper pad layout with R ? JA = 50°C/W .
Pulse width ? 10 μ S, Duty Cycle ? 1%.
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMN3052LSS
Document number: DS31583 Rev. 5 - 3
2 of 6
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
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