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参数资料
| 型号： | DMN3052LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 555pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3052LSSDIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMN3025LSS
Package Outline Dimensions
SO-8
DMN3052LSS
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
Detail ‘A’
b
D
0.3
4.85
0.5
4.95
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E
E1
e
h
L
5.90 6.10
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
?? 0 ? 8 ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
Value (in mm)
Y
DMN3052LSS
Document number: DS31583 Rev. 5 - 3
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C1
C2
0.60
1.55
5.4
1.27
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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