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参数资料
| 型号： | DMN3110S-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 73 毫欧 @ 3.1mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 305.8pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 740mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3110S-7DIDKR |
DMN3110S
2.4
2
10
8
1.6
6
T A = 25 ? C
1.2
4
0.8
0.4
2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1000
f = 1MHz
10000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
C ISS
1000
T A =150°C
T A =125°C
100
100
C OSS
10
T A =85°C
C RSS
1
T A =-55°C
T A =25°C
10
0
5
10
15
20
25
30
0.1
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
10
8
6
4
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
0
2 4 6 8
10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN3110S
Document number: DS31561 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3112S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3112SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
| DMN3115UDM-7 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 |
| DMN3135LVT-7 | MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26 |
| DMN3150L-7 | MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3112S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3112S-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3112SQ-7 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input Capacitance |
| DMN3112SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3112SSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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