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参数资料
| 型号： | DMN3112SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 57 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 268pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3112SSSDIDKR |
DMN3112SSS
1
0.32
0.28
0.24
0.20
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.16
0.12
0.08
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.04
0.01
0
4 8 12 16
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
20
0
0
2 4 6 8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
10
1.6
0.14
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
0.8
0.02
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
10
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.6
I D = 250μA
I D = 1mA
8
T A = 25°C
6
1.2
4
0.8
0.4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN3112SSS
Document number: DS31582 Rev. 2 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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