- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录406 > DMN3112SSS-13 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN3112SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 57 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 268pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3112SSSDIDKR |
DMN3112SSS
1,000
C iss
100
C oss
C rss
10
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 168°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
-T
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SOP-8L
Dim
Min
Max
E1 E
A2 A A3
A1
h
Detail ‘A’
45 °
L
7 °~ 9 °
Gauge Plane
Seating Plane
Detail ‘A’
A
A1
A2
A3
b
D
E
E1
e
h
L
- 1.75
0.08 0.25
1.40 1.50
0.20 Typ
0.3
0.5
4.85
4.95
5.90 6.10
3.80 3.90
1.27 Typ
- 0.35
0.60 0.80
e
D
b
?? 0 ? 8 ?
All Dimensions in mm
DMN3112SSS
Document number: DS31582 Rev. 2 - 2
4 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3115UDM-7 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 |
| DMN3135LVT-7 | MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26 |
| DMN3150L-7 | MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 |
| DMN3150LW-7 | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 |
| DMN3200U-7 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3115UDM | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W ESD 30V 3.2A SOT26 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 30V, 3.2A, SOT26 |
| DMN3115UDM-7 | 功能描述:MOSFET 900mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3135LVT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3150L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3150L-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。