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参数资料
| 型号： | DMN3115UDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 476pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3115UDMDIDKR |
DMN3115UDM
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 6)
Pulsed Drain Current (Note 6)
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DM
Value
30
±8
3.2
12.8
Units
V
V
A
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 6)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J , T STG
Value
900
139
-55 to +150
Units
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
?
1
? 5
V
μ A
μ A
V GS = 0V, I D = 100 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ? 8V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
0.5
?
?
?
?
40
50
76
8
0.7
1.0
60
80
130
?
1.1
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 4.5V, I D = 6A
V GS = 2.5V, I D = 2A
V GS = 1.5V, I D = 1.0A
V DS =10V, I D = 6A
V GS = 0V, I S = 2A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
476
77
59
?
?
?
pF
pF
pF
V DS = 15V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
6. Device mounted on FR-4 PCB, minimum recommended pad layout on 2oz. Copper pads.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
10
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V DS = 5V
Pulsed
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0
T A = -55°C
0.5 1 1.5
2
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
DMN3115UDM
Document number: DS31187 Rev. 8 - 2
2 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN3150L-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3150LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3150LW-7 | 功能描述:MOSFET 0.35W 28V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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