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参数资料
| 型号： | DMN3115UDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 476pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3115UDMDIDKR |
DMN3115UDM
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT26
Dim Min Max Typ
B C
A
B
C
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
?? ??
0.95
H
H
J
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
M
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
0.10 0.20 0.15
J
D
L
?? 0° 8° ??
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
3.20
1.60
Z
G
C1
X
Y
0.55
0.80
C1
2.40
Y
X
C2
0.95
DMN3115UDM
Document number: DS31187 Rev. 8 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3135LVT-7 | MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26 |
| DMN3150L-7 | MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 |
| DMN3150LW-7 | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 |
| DMN3200U-7 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| DMN32D2LDF-7 | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3135LVT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3150L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3150L-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3150LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3150LW-7 | 功能描述:MOSFET 0.35W 28V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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