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参数资料
| 型号： | DMN3150L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Wire Change 23/May/2008 Encapsulate Change 15/May/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 305pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3150LDIDKR |
DMN3150L
10
Package Outline Dimensions
8
6
4
2
0
V DS = 10V
I D = 3.8A
0 2 4 6 8 10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 8 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A ll 7 °
H
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
J
K 1 K
SOT23
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
B 1.20 1.40 1.30
A
M
L
a
L 1
C
D
F
G
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
H
J
K
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
0.890 1.00 0.975
C
B
K1
L
L1
M
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
0.085 0.150 0.110
F
G
D
?? 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Z
DMN3150L
Document number: DS31126 Rev. 9 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
Dimensions Value (in mm)
Z 2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3150LW-7 | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 |
| DMN3200U-7 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| DMN32D2LDF-7 | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353 |
| DMN32D2LFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
| DMN32D2LV-7 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3150LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3150LW-7 | 功能描述:MOSFET 0.35W 28V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3200U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3200U-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LDF | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL |
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