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参数资料
| 型号： | DMN3150LW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 305pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3150LWDIDKR |
DMN3150LW
8
6
4
2
0
8
6
4
2
0
V DS = 5V
Pulsed
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.5
1 1.5 2 2.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3
0.16
f = 1 MHz
T A = 25°C
0.12
C iss
V GS = 2.5V
0.08
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.04
C oss
C rss
0
0
2 4 6
8
1.4
1.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5V
I D = 1.6A
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMN3150LW
Document number: DS31514 Rev. 1 - 2
2 of 4
www.diodes.com
August 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3200U-7 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| DMN32D2LDF-7 | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353 |
| DMN32D2LFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
| DMN32D2LV-7 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
| DMN3300U-7 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3200U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3200U-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LDF | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL |
| DMN32D2LDF-7 | 功能描述:MOSFET 350mw 30V DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LFB4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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