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参数资料
| 型号： | DMN3150LW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 305pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3150LWDIDKR |
DMN3150LW
8
6
4
2
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Ordering Information
(Note 5)
Part Number
DMN3150LW-7
Case
SOT-323
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
31N = Product Type Marking Code
31N
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: V = 2008)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Package Outline Dimensions
A
SOT-323
Dim
Min
Max
Typ
K
TOP VIEW
G
H
B C
M
A
B
C
D
F
G
H
J
K
0.25
1.15
2.00
-
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.40
1.35
2.20
-
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.30
1.30
2.10
0.65
0.425
1.30
2.15
0.05
1.00
J
D
F
L
L
M
0.25
0.10
0.40
0.18
0.30
0.11
α
0°
8°
-
All Dimensions in mm
DMN3150LW
Document number: DS31514 Rev. 1 - 2
3 of 4
www.diodes.com
August 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3200U-7 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| DMN32D2LDF-7 | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353 |
| DMN32D2LFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
| DMN32D2LV-7 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
| DMN3300U-7 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3200U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3200U-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LDF | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL |
| DMN32D2LDF-7 | 功能描述:MOSFET 350mw 30V DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LFB4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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