参数资料
型号: DMN4027SSS-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 6A SO8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 604pF @ 20V
功率 - 最大: 1.56W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMN4027SSS-13DKR
DISCONTINUED
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4027SSS
Package Outline Dimensions
?
DIM
Inches
Millimeters
DIM
Inches
Millimeters
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.053
0.069
1.35
1.75
e
0.050 BSC
1.27 BSC
A1
D
H
E
L
0.004
0.189
0.228
0.150
0.016
0.010
0.197
0.244
0.157
0.050
0.10
4.80
5.80
3.80
0.40
0.25
5.00
6.20
4.00
1.27
b
c
θ
h
-
0.013
0.008
0.010
-
0.020
0.010
0.020
-
0.33
0.19
0.25
-
0.51
0.25
0.50
-
Suggested Pad Layout
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
4.0
0.155
1.27
0.050
mm
inches
DMN4027SSS
Document Number DS32103 Rev 2 - 3
7 of 8
www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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