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参数资料
| 型号： | DMN4800LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.47nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4800LSSDIDKR |
DMN4800LSS
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 85°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.0001
0.001
0.01
0.1 1 10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
e
b
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1 3.85 3.95
e 1.27 Typ
h - 0.35
L 0.62 0.82
?? 0 ? 8 ?
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMN4800LSS
Document number: DS31736 Rev. 7 - 2
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4800LSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8 |
| DMN5010VAK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-563 |
| DMN55D0UT-7 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
| DMN5L06-7 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 |
| DMN5L06DMK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4800LSSL | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 8A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 8A, SO8 制造商:DIODES 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 8A, SO8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 8A, SO8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6.7A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.011ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.2V , RoHS Compliant: Yes |
| DMN4800LSSL-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5010VAK-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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