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参数资料
| 型号： | DMN4800LSSL-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.46W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN4800LSSL-13DIDKR |
DMN4800LSSL
1.6
20
T A = 25°C
1.2
I D = 250μA
I D = 1mA
16
12
0.8
8
0.4
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
8
1,000
C iss
6
I D = 11.6A
I D = 9A
100
C oss
C rss
4
2
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
30
0
0
2
4 6 8 10 12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Total Gate Charge
14
16
10,000
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
1
T A = -55°C
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
DMN4800LSSL
Document number: DS35016 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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