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参数资料
| 型号： | DMN5010VAK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-563 |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 50mA @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK
V GS = 10V
Pulsed
I D = 280mA
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Ambient Temperature
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
250
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 11 Derating Curve - Total
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK
Document number: DS30769 Rev. 10 - 2
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www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN55D0UT-7 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
| DMN5L06-7 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 |
| DMN5L06DMK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26 |
| DMN5L06DW-7 | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 |
| DMN5L06DWK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN55D0UT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN55D0UT-7 | 功能描述:MOSFET .2W 50V .16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06DMK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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