- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录407 > DMN5L06DW-7 (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN5L06DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 |
| 产品变化通告： | End Of Life/Mfg Name Change 14/May/2009 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN5L06DWDIDKR |
DMN5L06DW
V GS = 10V
8V
6V
5V
4V
3V
10V
5V
8V
6V
4V
0.9
3V
0.6
0.3
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
10
1
0
0.1
-50
-25 0 25
50 75 100 125 150
T ch , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
10
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
I D, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN5L06DW
Document number: DS30751 Rev. 2 - 2
2 of 5
www.diodes.com
September 2007
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06DWK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 |
| DMN5L06K-7 | MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 |
| DMN5L06TK-7 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 |
| DMN5L06VA-7 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 |
| DMN5L06VAK-7 | MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN5L06DWK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DWK_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DWK-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06K_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。