参数资料
型号: DMN5L06DWK-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363
产品变化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
其它图纸: SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 305mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 50mA @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMN5L06DWKDIDKR
DMN5L06DWK
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
10
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
T ch , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
10
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
I D, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN5L06DWK
Document number: DS30930 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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