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参数资料
| 型号： | DMN5L06K-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN5L06KDIDKR |
DMN5L06K
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
M
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
??
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN5L06K
Document number: DS30929 Rev. 8 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
March 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06TK-7 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 |
| DMN5L06VA-7 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 |
| DMN5L06VAK-7 | MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 |
| DMN5L06WK-7 | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 |
| DMN601DMK-7 | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN5L06K-7-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:DMN5L06K Series N-Channel 50 V 2 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3 |
| DMN5L06T | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06T-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06TK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06TK-7 | 功能描述:MOSFET .15W 50V .28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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