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参数资料
| 型号： | DMN5L06TK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 |
| 产品目录绘图： | SOT-523 Package Top SOT-523 Package Side 1 SOT-523 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN5L06TKDIDKR |
DMN5L06TK
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
50
± 20
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Continuous
I D
280
mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J , T STG
Value
150
833
-55 to +150
Units
mW
° C/W
° C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
50
?
?
V
V GS = 0V, I D = 10μA
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
@ T C = +25°C
I DSS
I GSS
?
?
?
?
60
1
500
nA
μ A
nA
V DS = 50V, V GS = 0V
V GS = ±12V, V DS = 0V
V GS = ±10V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
50
nA
V GS = ±5V, V DS = 0V
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
On-State Drain Current
Forward Transconductance
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
I D(ON)
|Y fs |
V SD
0.49
?
?
?
0.5
200
0.5
?
1.8
1.5
1.2
1.4
?
?
1.2
3.0
2.5
2.0
?
?
1.4
V
Ω
A
mS
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 1.8V, I D = 50mA
V GS = 2.5V, I D = 50mA
V GS = 5.0V, I D = 50mA
V GS = 10V, V DS = 7.5V
V DS =10V, I D = 0.2A
V GS = 0V, I S = 115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
50
25
5.0
pF
pF
pF
V DS = 25V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMN5L06TK
Document number: DS30926 Rev. 5 - 2
2 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06VA-7 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 |
| DMN5L06VAK-7 | MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 |
| DMN5L06WK-7 | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 |
| DMN601DMK-7 | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 |
| DMN601DWK-7 | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN5L06V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06V-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06VA | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06VA-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN5L06VAK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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