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参数资料
| 型号： | DMN6040SFDE-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN6040SFDE-7DIDKR |
DMN6040SFDE
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 61°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
D
A1
A3
Dim
A
A1
A3
b
b1
D
U-DFN2020-6
Type E
Min
Max Typ
0.57
0.63 0.60
0 0.05 0.03
— — 0.15
0.25
0.35 0.30
0.185
0.285 0.235
1.95
2.05 2.00
E E2
D2
L1
b1
K1
L(2X)
D2
E
E2
e
L
0.85 1.05 0.95
1.95 2.05 2.00
1.40 1.60 1.50
— — 0.65
0.25 0.35 0.30
L1
0.82 0.92 0.87
K2
K1
K2
Z
— — 0.305
— — 0.225
— — 0.20
Z(4X)
DMN6040SFDE
D atasheet number: DS35792 Rev. 8 - 2
e
b(6X)
5 of 6
www.diodes.com
All Dimensions in mm
August 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN6040SSD-13 | MOSFET N CH 60V 5A SO-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN6040SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6040SVT-7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN6066SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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