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参数资料
| 型号： | DMP1096UCB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 102 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 251pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 820mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-UFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | WL-CSP1010H6-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP1096UCB4-7DIDKR |
DMP1096UCB4
1.2
1.0
0.8
5
4
3
T A = 25°C
0.6
I D = -1m A
2
0.4
0.2
I D = -250μA
1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
1,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 150°C
100
1,000
100
C iss
C oss
C rss
10
1
0.1
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
2 4 6 8 10
12
0.01
0
2 4 6 8 10
12
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 150°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
-T
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMP1096UCB4
Document number: DS31954 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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