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参数资料
| 型号： | DMP2004TK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523 |
| 产品目录绘图： | SOT-523 Package Top SOT-523 Package Side 1 SOT-523 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2004TKDIDKR |
DMP2004TK
0
0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Ambient Temperature
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
10
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance vs.
Drain-Source Current
DMP2004TK
Document number: DS30932 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMP2004VK-7 | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2004WK | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH ESD 20V 0.4A SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, ESD, 20V, 0.4A, SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, ESD, 20V, 0.4A, SOT323; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-400mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:250mW ;RoHS Compliant: Yes |
| DMP2004WK-7 | 功能描述:MOSFET 250mW -20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2012SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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