参数资料
型号: DMP2004WK-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
产品变化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 400mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 900 毫欧 @ 430mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 16V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SOT-323
包装: 带卷 (TR)
DMP2004WK
1.1
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Ambient Temperature
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 9 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT323
Dim Min Max Typ
G
H
B C
A
B
C
D
G
H
0.25 0.40 0.30
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
- - 0.65
1.20 1.40 1.30
1.80 2.20 2.15
K
M
J
K
L
0.0 0.10 0.05
0.90 1.00 0.95
0.25 0.40 0.30
J
D
L
M
??
0.10 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
DMP2004WK
Document number: DS30931 Rev. 6 - 2
4 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
PDF描述
DMP2012SN-7 MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
DMP2018LFK-7 MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
DMP2022LSS-13 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
DMP2035U-7 MOSFET P-CH SOT-23
DMP2035UTS-13 MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
DMP2012SN 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2012SN_0711 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2012SN-7 功能描述:MOSFET 20V 700mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2018LFK 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2018LFK-13 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET