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参数资料
| 型号： | DMP2104V-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 860mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 170mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2104VDIDKR |
DMP2104V
0.3
0.27
10,000
V GS = 0V
0.24
0.21
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
V GS = -1.8V
I D = -200mA
V GS = -2.5V
I D = -670mA
V GS = -4.5V
I D = -950mA
1,000
T j = 150°C
T j = 125°C
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 0V
T j = 25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 146°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMP2104V
Document number: DS30942 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2123L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2104V-7-F | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP210DUDJ | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP210DUDJ-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP210DUFB4-7 | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP210DUFB4-7B | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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