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参数资料
| 型号： | DMP2104V-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 860mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 170mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2104VDIDKR |
DMP2104V
Package Outline Dimensions
A
SOT-563
B
C
Dim
A
B
Min
0.15
1.10
Max Typ
0.30 0.20
1.25 1.20
K
G
D
M
C
D
G
H
K
L
M
1.55
-
0.90
1.50
0.55
0.10
0.10
1.70 1.60
- 0.50
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
0.30 0.20
0.18 0.11
All Dimensions in mm
H
L
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.2
1.2
Z
G
C1
X
Y
0.375
0.5
C1
1.7
Y
DMP2104V
Document number: DS30942 Rev. 7 - 2
X
C2
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www.diodes.com
0.5
March 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2123L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
| DMP2130L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
| DMP2130LDM-7 | MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 |
| DMP2160U-7 | MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23 |
| DMP2160UW-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2104V-7-F | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP210DUDJ | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP210DUDJ-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP210DUFB4-7 | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP210DUFB4-7B | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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