- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录408 > DMP2123L-7 (Diodes Inc)MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMP2123L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 443pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2123LDIDKR |
DMP2123L
V DS = -5V
Pulsed
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
C iss
C oss
C rss
V GS = -2.5V
f = 1 MHz
V GS = -4.5V
V GS = -10V
V GS = 0V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
0
4 8 12 16
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
20
V GS = -4.5V
I D = -3.0A
-I D = 250 μ A
V GS = -10V
I D = -3.5A
V GS = -2.5V
I D = -1.0A
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMP2123L
Document number: DS31440 Rev. 2 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2130L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
| DMP2130LDM-7 | MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 |
| DMP2160U-7 | MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23 |
| DMP2160UW-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 |
| DMP21D0UFB4-7B | MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2130L | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage |
| DMP2130L-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2130LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2130LDM-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2160U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。