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参数资料
| 型号： | DMP2130LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Wire Change 23/May/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 443pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2130LDMDIDKR |
DMP2130LDM
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
STATIC PARAMETERS
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
-20
?
?
V
I D = -250 μ A, V GS = 0V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current
Gate Threshold Voltage
On State Drain Current (Note 5)
Static Drain-Source On-Resistance (Note 5)
T J = 25 ° C
I DSS
I GSS
V GS(th)
I D (ON)
R DS (ON)
?
?
-0.6
-15
?
?
?
?
?
51
82
-1
± 100
-1.25
?
80
110
μ A
nA
V
A
m Ω
V DS = -20V, V GS = 0V
V DS = 0V, V GS = ± 12V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -4.5V, V DS = -5V
V GS = -4.5V, I D = -4.5A
V GS = -2.7V, I D = -3.8A
94
130
V GS = -2.5V, I D = -3.7A
Forward Transconductance (Note 5)
Diode Forward Voltage (Note 5)
Maximum Body-Diode Continuous Current (Note 1)
g FS
V SD
I S
?
?
?
6.3
0.79
?
?
-1.26
1.7
S
V
A
V DS = -10V, I D = -4.5A
I S = -1.7A, V GS = 0V
?
DYNAMIC PARAMETERS (Note 6)
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
7.3
2.0
1.9
12
20
38
41
443
125
98
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V GS = -4.5V, V DS = -10V, I D = 4.5A
V GS = -4.5V, V DS = -10V, I D = 4.5A
V GS = -4.5V, V DS = -10V, I D = 4.5A
V DS = -10V, V GS = -4.5V,
R L = 10 Ω , R G = 6 Ω
V DS = -16V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
5. Test pulse width t = 300 μ s.
6. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
V DS = -5V
Pulsed
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
DMP2130LDM
Document number: DS31118 Rev. 6 - 2
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www.diodes.com
May 2008
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参数描述 |
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| DMP2160U-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMP2160UFDB-7 | 功能描述:MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2160UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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