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参数资料
| 型号： | DMP2130LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Wire Change 23/May/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 443pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2130LDMDIDKR |
DMP2130LDM
C iss
C oss
C rss
V GS = -2.5V
f = 1 MHz
V GS = -4.5V
V GS = -10V
V GS = 0V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
0
4 8 12 16
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
20
V GS = -4.5V
I D = -3.0A
-I D = 250 μ A
V GS = -10V
I D = -3.5A
V GS = -2.5V
I D = -1.0A
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMP2130LDM
Document number: DS31118 Rev. 6 - 2
3 of 4
www.diodes.com
May 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMP2160U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2160U-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2160UFDB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2160UFDB-7 | 功能描述:MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2160UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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