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参数资料
| 型号： | DMP2160U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 627pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2160UDIDKR |
DMP2160U
10
V GS = 3.0V
10
V DS = -5V
8
6
4
V GS = 3.0V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
8
6
4
2
2
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
1
2 3 4
5
0
0
T A = -55°C
0.5 1 1.5 2 2.5
3
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
1,200
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
f = 1MHz
1.4
1.2
V GS = -2.5V
I D = -2A
V GS = -4.5V
I D = -4.5A
1,000
800
600
C iss
V GS = 0V
1.0
400
0.8
200
C oss
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
C rss
4 8 12 16
20
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 On-Resistance Variation with Temperature
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Capacitance
0.9
8
0.8
0.7
0.6
I D = 1mA
6
0.5
4
T A = 25°C
I D = 250μA
0.4
2
0.3
0.2
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 6 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP2160U
Document number: DS31586 Rev. 8 - 2
3 of 5
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2160UW-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2160UFDB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2160UFDB-7 | 功能描述:MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2160UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2160UW-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP21D0UFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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