参数资料
型号: DMP2160U-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23
产品目录绘图: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 627pF @ 10V
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMP2160UDIDKR
DMP2160U
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 338°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 7 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A ll 7 °
H
SOT23
K 1
K
J
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
B 1.20 1.40 1.30
C
2.30 2.50 2.40
a
D
0.89 1.03 0.915
A
M
F
0.45 0.60 0.535
L
L 1
G
H
J
K
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
0.890 1.00 0.975
C
B
K1
L
L1
M
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
0.085 0.150  0.110
F
G
D
?? 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
Z
DMP2160U
Document number: DS31586 Rev. 8 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
DMP2160UW-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
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参数描述
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DMP2160UFDB-7 功能描述:MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2160UW 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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DMP21D0UFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET