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参数资料
| 型号： | DMP21D5UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 970 毫欧 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 500nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 46.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP21D5UFB4-7BDIDKR |
DMP21D5UFB4
1.0
1.0
T A = 150 ° C
0.8
0.8
V DS = -5V
T A = 85 ° C
T A = 125 ° C
T A = 25 ° C
0.6
0.4
0.2
0.6
0.4
0.2
T A = -55 ° C
0
0
1 2 3 4
5
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
2.0
1.8
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
1.6
1.4
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
1.6
1.2
1.4
T A = 150°C
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = -1.8V
V GS = - 2.5V
V GS = - 4.5V
1.0
0.8
0.6
0.4
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 2 5°C
T A = -55°C
0.4
0.2
0.2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.7
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.6
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
1.5
1.2
1.3
1.1
1.0
0.8
0.6
0.9
0.4
0.7
0.2
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
150
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 6 On-Resistance vs.Temperature
DMP21D5UFB4
Document number: DS35284 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMP2225L-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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