参数资料
型号: DMP21D5UFB4-7B
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 700mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 970 毫欧 @ 100mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 500nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 46.1pF @ 10V
功率 - 最大: 460mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-XFDFN
供应商设备封装: 3-DFN1006(1.0x0.6)
包装: 标准包装
其它名称: DMP21D5UFB4-7BDIDKR
DMP21D5UFB4
1.4
1.0
1.2
0.8
1.0
I D = -1mA
0.8
0.6
I D = -250μA
0.6
0.4
T A = 25 ° C
0.4
0.2
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0.4
0.6 0.8 1.0
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
1.2
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
C iss
1,000
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
100
T A = 1 50 ° C
10
C oss
10
T A = 1 25 ° C
T A = 8 5 ° C
C rss
T A = 2 5 ° C
f = 1MHz
1
0
5 10 15
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
1
0
4 8 12 16 20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
1
R DS(ON)
P W = 100μs
8
Limited
7
DC
P W = 10s
6
0.1
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
5
4
3
0.01
2
T J(MAX) = 150 ° C
T A = 25 ° C
Single Pulse
1
0.001
0.1
1
10
100
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 12 Gate-Charge Characteristics
DMP21D5UFB4
Document number: DS35284 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
PDF描述
DMP2215L-7 MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
DMP2225L-7 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
DMP2240UDM-7 MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26
DMP2240UW-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
DMP22D4UFA-7B MOSFET P CH 20V 330MA
相关代理商/技术参数
参数描述
DMP21D5UFD-7 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2215L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2215L-7 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2225L-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube