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参数资料
| 型号： | DMP2240UDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2240UDMDIDKR |
DMP2240UDM
T A = 25°C
I D = 1.0A
V GS = -2.5V
V GS = -1.8V
V GS = -4.5V
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
V GS = -10V
0.30
0.20
0.10
V GS = -4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 25°C
T A = -55°C
600
500
400
300
200
100
C iss
C oss
C rss
f = 1MHz
0.00
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18 20
0.3
0.27
10,000
V GS = 0V
0.24
0.21
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
V GS = -1.8V
I D = -200mA
V GS = -2.5V
I D = -670mA
V GS = -4.5V
I D = -950mA
1,000
T j = 150°C
T j = 125°C
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
DMP2240UDM
Document number: DS31197 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
April 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2240UW-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3 |
| DMP22D4UFA-7B | MOSFET P CH 20V 330MA |
| DMP22D6UT-7 | MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2240UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2240UW-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel .25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP22D4UFA-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP22D6UT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP22D6UT-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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